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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Super Talent F24SB8GH 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Super Talent F24SB8GH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Super Talent F24SB8GH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
16.0
写入速度,GB/s
12.0
8.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2337
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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