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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.8
16.1
写入速度,GB/s
11.8
11.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3001
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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