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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.8
15.1
写入速度,GB/s
11.8
10.8
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2667
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
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