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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
15.8
14.1
写入速度,GB/s
11.8
9.0
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2583
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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