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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
33
读取速度,GB/s
16.7
16.2
写入速度,GB/s
12.3
11.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2584
2907
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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