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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

总分
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

总分
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB 需要考虑的原因
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 41
    左右 -14% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.2 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 13.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2322 left arrow 3313

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB RAM的比较

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
内存RAM
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
内存RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
内存RAM
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
内存RAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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内存RAM