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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
41
左右 -156% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
16
读取速度,GB/s
13.3
21.7
写入速度,GB/s
8.5
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3872
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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