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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.3
18.0
写入速度,GB/s
8.5
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3371
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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