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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.3
16.3
写入速度,GB/s
8.5
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2680
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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