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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
13.6
15.6
写入速度,GB/s
8.4
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2982
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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