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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
13.6
20.5
写入速度,GB/s
8.4
16.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3687
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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