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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
13.6
13.5
写入速度,GB/s
8.4
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2652
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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