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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
41
读取速度,GB/s
13.6
18.0
写入速度,GB/s
8.4
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2813
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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