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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
33
读取速度,GB/s
13.4
16.2
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3026
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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