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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs AMD R748G2133U2S 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
AMD R748G2133U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
AMD R748G2133U2S 8GB
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更快的读取速度,GB/s
15.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
23
读取速度,GB/s
13.4
15.9
写入速度,GB/s
8.0
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2852
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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AMD R748G2133U2S 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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