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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.4
17.3
写入速度,GB/s
8.0
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3273
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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