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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
25
读取速度,GB/s
13.4
15.9
写入速度,GB/s
8.0
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3023
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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