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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
32
读取速度,GB/s
13.4
16.4
写入速度,GB/s
8.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3226
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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