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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
8.0
12.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3204
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-204.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
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