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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
23
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
19
读取速度,GB/s
13.4
19.9
写入速度,GB/s
8.0
18.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3691
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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