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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
38
读取速度,GB/s
13.4
14.7
写入速度,GB/s
8.0
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2824
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
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