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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
32
读取速度,GB/s
13.4
15.6
写入速度,GB/s
8.0
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2822
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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