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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.4
19.1
写入速度,GB/s
8.0
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
4053
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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