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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
41
读取速度,GB/s
13.4
13.1
写入速度,GB/s
8.0
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2395
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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