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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 44% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
41
读取速度,GB/s
13.4
16.3
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3146
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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