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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
15.1
写入速度,GB/s
8.0
11.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1847
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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