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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
33
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
8.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3595
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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