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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.4
17.6
写入速度,GB/s
8.0
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3705
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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