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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
16.9
写入速度,GB/s
8.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3462
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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