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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
20.0
写入速度,GB/s
8.0
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3559
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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