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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
17.8
写入速度,GB/s
8.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3126
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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