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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

总分
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 32
    左右 28% 更低的延时
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.6 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 15.6
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 3122

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
内存RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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