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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
34
读取速度,GB/s
13.4
16.4
写入速度,GB/s
8.0
10.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2881
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
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