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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
26
读取速度,GB/s
13.4
14.5
写入速度,GB/s
8.0
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2486
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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