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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
17.4
写入速度,GB/s
8.0
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3552
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
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