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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
26
读取速度,GB/s
13.4
19.5
写入速度,GB/s
8.0
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3635
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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