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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
51
左右 55% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
51
读取速度,GB/s
13.4
16.3
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2945
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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