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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

总分
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 27
    左右 15% 更低的延时
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 2756

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
内存RAM