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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
73
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
8.0
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1853
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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