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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 9905598-026.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
12.9
写入速度,GB/s
8.0
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2646
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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