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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 9905625-075.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
40
读取速度,GB/s
13.4
13.0
写入速度,GB/s
8.0
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2522
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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