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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
26
读取速度,GB/s
13.4
12.2
写入速度,GB/s
8.0
5.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1970
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
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