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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
47
读取速度,GB/s
13.4
14.2
写入速度,GB/s
8.0
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2576
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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