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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
41
读取速度,GB/s
13.4
15.2
写入速度,GB/s
8.0
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2186
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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