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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
32
读取速度,GB/s
13.4
16.2
写入速度,GB/s
8.0
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3148
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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