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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
18.2
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3603
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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