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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

总分
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 27
    左右 15% 更低的延时
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 14.1
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 2436

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
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内存RAM
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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内存RAM
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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