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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Panram International Corporation M424016 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation M424016 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
12.6
写入速度,GB/s
8.0
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2035
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
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