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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.4
17.3
写入速度,GB/s
8.0
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3366
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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