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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
16.8
写入速度,GB/s
8.0
11.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2873
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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